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存储厂商 SK 海力士送出 12 层堆叠 HBM4E 样品
6 月 18 日，存储厂商 SK 海力士官宣，已向核心客户交付12 层堆叠 HBM4E样品，企业将协同客户推进验证工作，保障产品按时实现量产。
对比前代 HBM4，HBM4E 综合实力大幅优化，引脚最高传输速率达 16Gbps，能效提升超 20%，能充分承载 AI 模型训练与推理海量数据吞吐需求。依托全新接口架构设计，产品数据传输延迟明显下降，高带宽满载工况下运行更稳定，可显著改善下一代 AI 数据中心、大型高性能计算集群整体处理效率。
堆叠封装采用自研MR-MUF 批量回流模塑底部填充工艺，单颗芯片完成 12 层堆叠，容量可达 48GB，芯片结构稳定性得到加强。相较 HBM4，产品热阻降低 17%，长时间高负载算力场景下散热表现更优异。MR-MUF 技术通过在堆叠芯片间隙填充固化保护材料，对内部存储电路形成可靠防护。
依托 HBM3、HBM3E、HBM4 成熟量产供货积累，SK 海力士持续迭代高端高带宽存储方案。企业高管表示，HBM4E 将针对性化解当前 AI 算力集群存储瓶颈，助力新一代 AI 基础设施落地，持续夯实自身全栈 AI 存储供应商的行业领先定位。
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